企业简介
富鼎先进电子股份有限公司成立于1987年，是MOS、IGBT、Power IC等产品专业生产加工的股份合作企业,98年为台湾家成功整合6吋DMOS制程的IC设计公司。公司总部设在台湾，深圳有销售处,富鼎先进（APEC）有限公司拥有完整、科学的质量管理体系。富鼎先进（APEC）有限公司的诚信、实力和产品质量获得业界的认可。欢迎各界朋友莅临富鼎先进（APEC）有限公司参观、指导和业务洽谈。
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| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | TW396634 | 减少绝缘闸半导体元件制程步骤之方法 | 2000.07.01 | 一种绝缘闸半导体元件结构包含：一具有第一导电性之半导体基材，形成一第一电性之介电层于该基材上，形成一 |
| 2 | TW412809 | 绝缘闸半导体元件结构及其制程 | 2000.11.21 | 一种绝缘闸半导体元件结构包含:形成于底材上具第一电性之介电材料层系作为绝缘闸半导体元件之汲极区域。介 |
| 3 | TW392255 | 具有闸极连接通道之绝缘闸半导体元件 | 2000.06.01 | 一种具有闸极连接通道之绝缘闸半导体元件。此绝缘闸半导体元件先利用重掺杂之底材上沉积磊晶层以作为汲极之 |
| 4 | TW454351 | 自动对准之绝缘闸半导体元件制造方法 | 2001.09.11 | 本发明揭露一种绝缘闸半导体元件的制造方法，在闸极结构之间定义一接触窗，然后在汲极区域之中形成通道区域 |
| 5 | TW454349 | 改良高功率半导体之夹击电阻的制造方法 | 2001.09.11 | 本发明揭露一种高功率电晶体元件的制造方法，使用完全对准之多晶矽与井区植入技术，制造具有良好对称性的半 |
| 6 | TW508676 | 具不同厚度闸氧化层之高功率电晶体制程 | 2002.11.01 | 一种可降低开/汲极间电容之高功率半导体元件的制造方法，该方法包含于半导体基材上形成与半导体基材具相同 |
| 7 | TW200511481 | 具沟渠隔离结构之功率电晶体结构及其制造方法 | 2005.03.16 | 本发明具沟渠隔离结构之功率电晶体制造方法，系于定义闸极沟渠结构之同时定义出隔离沟渠结构，接着进行氧化 |
| 8 | TW200418128 | 一种具高细胞元密度之沟渠式高功率半导体元件及制造方法 | 2004.09.16 | 一种具高细胞元密度之沟渠式高功率半导体元件及制造方法，该高功率半导体元件至少包含一基材、基体区与一横 |
| 9 | TW200511505 | 具低闸极阻値之功率电晶体结构及其制造方法 | 2005.03.16 | 本发明系揭露一种具低闸极阻值之功率电晶体结构及其制造方法，根据本发明之结构，其中包含一半导体基材，一 |
| 10 | TW512438 | 具不连续复晶闸极之高功率电晶体及其制程 | 2002.12.01 | 一种可降低闸/汲极间电容之高功率半导体元件及其制造方法，该高功率半导体元件之制程系于半导体基材上形成 |
| 11 | TW200511590 | 具萧特基二极体之沟渠式功率电晶体的制造方法 | 2005.03.16 | 一种附加萧特基二极体之沟渠式功率电晶体的制造方法，首先藉由于形成隔绝相邻电晶体之场氧化层之同时，亦将 |
| 12 | TW444926 | 积体电路晶片导线架结构 | 2001.07.01 | 本案系为一种积体电路晶片导线架结构,该晶片上系完成有一高功率电晶体，而该导线架结构包含:复数个接脚, |
| 13 | TW447023 | 低夹击电阻功率电晶体之U型闸层结构制程 | 2001.07.21 | 一种功率电晶体之低夹击电阻和Ｕ型闸层结构制作方法，在半导体基板上形成一介电材料层，其上分别形成第一介 |
| 14 | TW498525 | 导线架结构及使用该导线架结构之积体电路与其制造方法 | 2002.08.11 | 本案系为一种积体电路结构，该结构包含一导线架、一晶片以及一封装外壳。该导线架具有一基座，其一侧具有复 |
| 15 | CN205666232U | 芯片导通件 | 2016.10.26 | 一种芯片导通件具有第一导通单元与第二导通单元；第一导通单元用来连接于第一外部电性接点与芯片的第一电极 |
| 16 | CN205666233U | 导线架结构 | 2016.10.26 | 一种导线架结构具有至少一导线架单元，每一导线架单元用来电性连接于芯片与至少一外部电性接点之间；每一导 |
| 17 | TWM517419 | 导线架结构 | 2016.02.11 | 导线架结构具有至少一个导线架单元，每一个导线架单元用以电性连接于晶片与至少一个外部电性接点之间。每一 |
| 18 | TWM505697 | 半导体封装结构 | 2015.07.21 | |
| 19 | TWM514108 | 晶片导通件 | 2015.12.11 | |
| 20 | CN204857710U | 芯片导通件 | 2015.12.09 | 一种芯片导通件，用以连接于芯片的第一电极与至少一外部电性接点之间。芯片导通件包含本体部、信号传输部与 |
| 21 | CN204834613U | 导线架结构 | 2015.12.02 | 一种导线架结构，具有至少一个导线架单元，每一个导线架单元用以电性连接于芯片与至少一个外部电性接点之间 |
| 22 | TWD171074 | 晶片导通片 | 2015.10.11 | |
| 23 | TWD171075 | 晶片导通片 | 2015.10.11 | |
| 24 | CN204558445U | 半导体封装结构 | 2015.08.12 | 本实用新型公开了一种半导体封装结构，包含第一导线架、第一半导体元件、第二导线架、第一导电片以及绝缘导 |
| 25 | TWI495060 | 功率元件封装结构 | 2015.08.01 | |
| 26 | CN303272780S | 夹桥 | 2015.07.08 | 1．本外观设计产品的名称：夹桥。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于一种晶片与钉架之间连结的 |
| 27 | CN303272779S | 夹桥 | 2015.07.08 | 1．本外观设计产品的名称：夹桥。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于一种晶片与钉架之间连结用 |
| 28 | CN104113312A | 栅极电压产生电路 | 2014.10.22 | 一种栅极电压产生电路，用以提供一栅极电压至一晶体管开关。此栅极电压产生电路包括一第一电压产生电路以及 |
| 29 | TW201431286 | 闸极电压产生电路;GATE VOLTAGE GENERATING CIRCUIT | 2014.08.01 | 一种闸极电压产生电路用以提供一闸极电压至一电晶体开关。此闸极电压产生电路包括一第一电压产生电路以及一 |
| 30 | CN103187374A | 功率元件封装结构 | 2013.07.03 | 一种功率元件封装结构，包含一基材、一源极层、一栅极层、一漏极层、一介电层、至少一漏极焊垫、至少一源极 |
| 31 | CN202978247U | 过电流保护电路 | 2013.06.05 | 过电流保护电路具有一第一过电流侦测单元、一第二过电流侦测单元以及一控制单元。过电流保护电路耦接在一开 |
| 32 | CN202394950U | 组合式的导线架 | 2012.08.22 | 本实用新型揭露一种组合式的导线架，包含晶粒承载部、与晶粒承载部连接的引脚部、导热垫块，以及接着组件。 |
| 33 | CN102340254A | 降压型电源转换器 | 2012.02.01 | 本发明提出一种降压型电源转换器，用以将电源输入电压转换为电源输出电压，其包含第一整流滤波电路以及功率 |
| 34 | TWM388730 | 半导体封装结构 | 2010.09.11 | |
| 35 | CN201369327Y | 导线架结构 | 2009.12.23 | 本实用新型涉及一种导线架结构，包含一承载平台与多个导脚，其中承载平台包含一第一区块、一第二区块，以及 |
| 36 | TWI256716 | 功率金氧半电晶体晶片的线路架构 | 2006.06.11 | 一种功率金氧半电晶体晶片之线路架构包括至少分隔之两个源极金属层、闸极连线与闸极焊垫。藉分隔连续之源极 |
| 37 | TWI297202 | 具有大散热面积之封装结构 | 2008.05.21 | 一种具有大散热面积之封装结构，至少包含导线装、晶片、多个接脚或平面电极及封胶，利用导线架曝露的第二表 |
| 38 | TWI256080 | 减少功率元件闸极端面积之结构及方法 | 2006.06.01 | 根据本发明功率元件之制程，首先系于一半导体基材上形成与其相同电性之一磊晶矽层，接着于磊晶矽层之上形成 |
| 39 | TW200612555 | 混合式元件结构之功率金氧半场效电晶体阵列 | 2006.04.16 | 一种具混合式结构的功率金氧半场效电晶体元件(power MOSFET device)。系在两平面式( |
| 40 | TW200612497 | 提升功率半导体元件之耐压可靠性的元件架构 | 2006.04.16 | 将功率半导体元件中的多边形闸极开口、闸极开口下方基材中与闸极开口同形状之第一型掺杂区、位于第一型掺杂 |
| 41 | TWI245420 | 混合式元件结构之功率金氧半场效电晶体阵列 | 2005.12.11 | 一种具混合式结构的功率金氧半场效电晶体元件(power MOSFET device)系在两平面式(f |
| 42 | TWI239570 | 具低闸极电容之沟渠式功率电晶体的制造方法 | 2005.09.11 | 本发明具低闸极电容之沟渠式功率电晶体的制造方法，系利用两次氧化制程来提升闸极底部氧化层之厚度，首先利 |
| 43 | TWI234823 | 提升功率半导体元件之耐压可靠性的元件架构 | 2005.06.21 | 将功率半导体元件中的多边形闸极开口、闸极开口下方基材中与闸极开口同形状之第一型掺杂区、位于第一型掺杂 |
| 44 | TW200515571 | 功率金氧半电晶体晶片的线路架构 | 2005.05.01 | 一种功率金氧半电晶体晶片之线路架构包括至少分隔之两个源极金属层、闸极连线与闸极焊垫。藉分隔连续之源极 |
| 45 | TW200515570 | 一种功率金氧半电晶体产品之线路架构 | 2005.05.01 | 由源极金属、闸极连接线与闸极垫所组成之功率金氧半电晶体产品之线路架构。上述之源极金属只与功率金氧半电 |
| 46 | TW200515581 | 具有闸源极保护二极体之功率金氧半电晶体产品的线路架构 | 2005.05.01 | 具有闸源极保护二极体之功率金氧半电晶体产品的线路架构。此线路架构将场板连线与闸极连线合并，并于闸极连 |
| 47 | TW200515587 | 具有低夹击电阻之高功率金氧半场效电晶体的制造方法 | 2005.05.01 | 具有低夹击电阻之高功率金氧半场效电晶体的制造方法。增加高功率金氧半场效电晶体之位于闸极下磊晶矽层之局 |
| 48 | TW200515601 | 具有低导通电阻之功率金氧半电晶体的元件架构 | 2005.05.01 | 修饰功率金氧半电晶体中构成闸极开口之各边线路，使每边形成一个以上之折角，以增加通道宽度来降低功率金氧 |
| 49 | TWI231593 | 具有闸源极保护二极体之功率金氧半电晶体产品的线路架构 | 2005.04.21 | 具有闸源极保护二极体之功率金氧半电晶体产品的线路架构此线路架构将场板连线与闸极连线合并，并于闸极连线 |
| 50 | TWI231571 | 具低闸极阻値之功率电晶体结构及其制造方法 | 2005.04.21 | 本发明系揭露一种具低闸极阻值之功率电晶体结构及其制造方法，根据本发明之结构，其中包含一半导体基材，一 |
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